安裝和更換MOS管注意事項(xiàng)
一、安裝和更換MOS管前的準(zhǔn)備
1.由于MOS管柵極絕緣層很薄，柵漏電容較小。有U=Q/C，所以靜電和感應(yīng)電壓成正比。人體靜電電壓就極易對(duì)管子的柵極造成損壞。
2.不要人體直接觸碰管子?xùn)艠O。
3.由于干燥易產(chǎn)生靜電，應(yīng)在安裝和更換MOS管前，洗洗手，以消除靜電。
4.最好加接地護(hù)腕。功放模塊接地。最好用防靜電焊臺(tái)或防靜電烙鐵。
二、測(cè)量MOS管方法
1.用指針表100歐姆擋測(cè)量。先使表筆接地，放掉表筆靜電。
2.測(cè)量柵源，柵漏，正反向電阻都應(yīng)無(wú)窮大。
3.源漏間一般是兩個(gè)背靠背二極管，測(cè)量源漏極正反向電阻都應(yīng)無(wú)窮大。有很多MOS管的源漏極是同一種半導(dǎo)體材料建立在另一半導(dǎo)體材料作為襯底。而襯底又是和源極接在一起的，所以源漏間相當(dāng)一只二極管。N-溝道場(chǎng)效應(yīng)管，紅筆接漏極，黑筆接源極，正向電阻約5-10K。反向無(wú)窮大。由于先測(cè)量柵極會(huì)給柵極充靜電而保持有柵壓，紅筆接源極，黑筆接漏極時(shí)不是無(wú)窮大。可短路柵源極放掉柵壓，再重新測(cè)量源漏極電阻，確定源漏是否損壞。
4.場(chǎng)效應(yīng)管一般損壞是柵漏擊穿，柵漏電阻很小。源漏極損壞，源漏極反向電阻較小，100K以下。
5.注意BLF861由于工藝，一對(duì)管子的襯底是一起的，兩管子漏極也一起的，管子兩漏極間電阻是很小的。而BLF278一對(duì)管子的襯底不是一起的，兩管子漏極電阻是無(wú)窮大的。
三、細(xì)心檢查電路中有無(wú)損壞的元件
1.對(duì)有3db合成器的電路，要檢查負(fù)載端的負(fù)載值是否準(zhǔn)確。
2.對(duì)照檢查柵地電阻是否正確。
3.檢查柵極.漏極電路微帶電容有沒損壞。
4.調(diào)整柵壓到最小，(吉兆功放一般是順時(shí)針調(diào)小)。
四、安裝MOS管
1.先把功放模塊安裝MOS管的位置進(jìn)行清理，焊掉有影響的微帶電容，電感，漏極供電電感，把柵.漏極焊接處的焊錫清理干凈，把底座用酒精清洗。
2.給MOS管的底座均勻涂薄薄一層導(dǎo)熱硅脂， 保證管子和底座良好接觸導(dǎo)熱。
3.裝好管子，擰好固定螺絲和散熱器，用硬物按壓，使柵極.漏極都緊壓在焊接處。
4.用60W接地烙鐵，拔掉電源。用好的焊錫絲，快速對(duì)柵極，漏極進(jìn)行焊接。焊錫不宜太多和太少，焊錫多了散熱太快，太少了焊接不牢。注意不要直接用手拿焊錫焊接，用絕緣鑷子或尖嘴鉗夾著焊錫焊接。烙鐵功率不宜太小，不宜過(guò)大。太小溫度不夠，太大也易燙壞管子。焊接時(shí)間要短，焊接時(shí)間長(zhǎng)容易燙壞管子，可分多次焊接。
5.焊接好管子后，逐個(gè)焊接好諧振電容，諧振電感，最后焊接漏極供電電感。
五、安裝管子后的靜態(tài)調(diào)整
1.功放模塊輸出接功率負(fù)載，輸入不加激勵(lì)。對(duì)功放管子靜態(tài)電流檢查，可量管子漏極電路中的電流取樣電阻的電壓，判斷管子的靜態(tài)電流是否正常，因?yàn)闁艍阂颜{(diào)到較小值，靜態(tài)電流應(yīng)很小。如果取樣電壓較大就可能功放有自激，要排除自激后再校正靜態(tài)工作點(diǎn)。
2.如果取樣電壓很小，沒有自激。可調(diào)整柵壓到比正常柵壓略低，再測(cè)電流取樣電壓，微調(diào)柵壓可調(diào)電阻，使取樣電壓達(dá)到正常值。BLF278的柵壓為3V左右，BLF861的柵壓為5V左右，對(duì)管工作電流均為0.8A。當(dāng)取樣電阻R050四只并聯(lián)時(shí)，為0.0125歐姆。取樣電壓應(yīng)為10MV。
幾種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
不隔離互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路
由于MOSFET為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，當(dāng)其關(guān)斷時(shí)，漏源兩端的電壓的，上升會(huì)通過(guò)結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓，如圖所示的電路不能提供負(fù)電壓，因此其抗干擾性較差，有條件的話可以將其中的地?fù)Q成-Vcc，以提高抗干擾性及提高關(guān)斷速度。
隔離驅(qū)動(dòng)電路
（1）正激驅(qū)動(dòng)電路
N3為去磁繞組，S1為要驅(qū)動(dòng)的功率管。R2為防止功率管柵源電壓振蕩的一個(gè)阻尼電阻。R1為正激變換器的假負(fù)載,用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通，并作為MOSFET關(guān)斷時(shí)的能量泄放回路。
該驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動(dòng)S1柵源極等效輸入電容的大小、Q1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的速度以及Q1所能提供的電流大小有關(guān)
優(yōu)點(diǎn):
電路簡(jiǎn)單，并實(shí)現(xiàn)了隔離驅(qū)動(dòng)。只需單電源即可提供導(dǎo)通時(shí)的正電壓及關(guān)斷時(shí)的負(fù)電壓。占空比固定時(shí)，通過(guò)合理的參數(shù)設(shè)計(jì)，此驅(qū)動(dòng)電路也具有較快的開關(guān)速度。
缺點(diǎn):
由于變壓器副邊需要一個(gè)較大的防振蕩電阻，該電路消耗比較大。當(dāng)占空比變化時(shí)關(guān)斷速度變化加大。脈寬較窄時(shí)，由于儲(chǔ)存的能量減少導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度變慢。
（2）有隔離變壓器互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路
該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大及占空比小于0.5的場(chǎng)合
優(yōu)點(diǎn):
電路簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化。該電路只需一個(gè)電源，隔直電容C的作用在關(guān)斷時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，有較高的抗干擾能力。
缺點(diǎn):
輸出電壓幅值會(huì)隨著占空比變化而變化。當(dāng)D較小時(shí)，負(fù)電壓較小，抗干擾能力變差，同時(shí)正向電壓高，應(yīng)注意不要超過(guò)柵源允許電壓:當(dāng)D大于0.5時(shí)，正向電壓降低，負(fù)電壓升高，應(yīng)注意使其負(fù)電壓不要超過(guò)柵源允許電壓。
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